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MOSFET-Transistormodule

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Modul SiC-Diode/Transistor 600V 107A SP4 Ugs ±30V Idm 572A

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Code: TMEAPTC60DAM18CTG
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Modul SiC-Diode/Transistor 600V 107A SP4 Ugs ±30V Idm 572A - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des HalbleitersSiC-Diode/Transistor
Drain-Source Spannung600V
Drainstrom107A
GehäuseSP4
Topologieboost chopper
TopologieNTC Thermistor
Elektrische Montageschraubbar
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand18mΩ
Drainstrom im Impuls572A
Verlustleistung833W
TechnologieCoolMOS™
TechnologieSiC
Gate-Source Spannung±30V
Mechanische Montageschraubbar