Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

транзисторные модули MOSFET

транзисторные модули MOSFET

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET


Модуль диод SiC/транзистор 600В 38А SP1 Ugs ±20В Idm 130А

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTC60AM45BC1G
Упаковка:
Mindestabnahme: 11
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

€106.8 (Цена с НДС)
€88.3 Цена без НДС

Wählen Sie das Transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 11+ ks Более
Цена/шт. €88.28 Цена по запросу

Количество

Mindestabnahme: 11


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль диод SiC/транзистор 600В 38А SP1 Ugs ±20В Idm 130А - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодадиод SiC/транзистор
Напряжение сток-исток600В
Ток стока38А
КорпусSP1
Топологияboost chopper
Топологияполумост MOSFET
Электрический монтажPress-in PCB
Сопротивление в открытом состоянии45мОм
Ток стока в импульсном режиме130А
Рассеиваемая мощность250Вт
ТехнологияCoolMOS™
ТехнологияSiC
Напряжение затвор-исток±20В
Механический монтажвинтами