Inhalt Warenkorb

Inhalt Warenkorb

Einloggen in Shop

MOSFET-Transistormodule

MOSFET-Transistormodule

GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule


Modul SiC-Diode/Transistor 600V 38A SP1 Ugs ±20V Idm 130A

Strichcode:
Code: TMEAPTC60AM45BC1G
Packen:
Mindestabnahme: 11
Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

Menge


Versandkosten

(Preis inkl. gesetzl. MwSt.) auf Frage

Modul SiC-Diode/Transistor 600V 38A SP1 Ugs ±20V Idm 130A - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des HalbleitersSiC-Diode/Transistor
Drain-Source Spannung600V
Drainstrom38A
GehäuseSP1
Topologieboost chopper
TopologieMOSFET Halbbrücke
Elektrische MontagePress-in PCB
Widerstand im Leitungszustand45mΩ
Drainstrom im Impuls130A
Verlustleistung250W
TechnologieCoolMOS™
TechnologieSiC
Gate-Source Spannung±20V
Mechanische Montageschraubbar