Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

транзисторные модули MOSFET

транзисторные модули MOSFET

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET


Модуль диод SiC/транзистор 600В 70А SP1 Ugs ±20В Idm 260А

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTC60SKM24CT1G
Упаковка:
Mindestabnahme: 11
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

€99.9 (Цена с НДС)
€82.6 Цена без НДС

Wählen Sie das Transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 11+ ks Более
Цена/шт. €82.59 Цена по запросу

Количество

Mindestabnahme: 11


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль диод SiC/транзистор 600В 70А SP1 Ugs ±20В Idm 260А - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодадиод SiC/транзистор
Напряжение сток-исток600В
Ток стока70А
КорпусSP1
Топологияbuck chopper
Топологиятермистор NTC
Электрический монтажPress-in PCB
Сопротивление в открытом состоянии24мОм
Ток стока в импульсном режиме260А
Рассеиваемая мощность462Вт
ТехнологияSiC
ТехнологияSJ-MOSFET
Напряжение затвор-исток±20В
Механический монтажвинтами