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MOSFET-Transistormodule

MOSFET-Transistormodule

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Modul SiC-Diode/Transistor 600V 87A SP6P Ugs ±20V Idm 400A

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Code: TMEAPTC60TAM21SCTPAG
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Modul SiC-Diode/Transistor 600V 87A SP6P Ugs ±20V Idm 400A - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des HalbleitersSiC-Diode/Transistor
Drain-Source Spannung600V
Drainstrom87A
GehäuseSP6P
TopologieMOSFET x3 Halbbrücke
TopologieNTC Thermistor
Elektrische MontagePress-in PCB
Widerstand im Leitungszustand21mΩ
Drainstrom im Impuls400A
Verlustleistung625W
TechnologieCoolMOS™
TechnologieSiC
Gate-Source Spannung±20V
Mechanische Montageschraubbar