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MOSFET-Transistormodule

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Modul SiC-Diode/Transistor 700V 281A SP3F Press-in PCB 988W

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Code: TMEMSCSM70AM07CT3AG
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Modul SiC-Diode/Transistor 700V 281A SP3F Press-in PCB 988W - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des HalbleitersSiC-Diode/Transistor
Drain-Source Spannung700V
Drainstrom281A
GehäuseSP3F
TopologieHalbbrücke MOSFET + Paralleldioden
TopologieNTC Thermistor
Elektrische MontagePress-in PCB
Widerstand im Leitungszustand6.4mΩ
Drainstrom im Impuls700A
Verlustleistung988W
TechnologieSiC
Mechanische Montageschraubbar