GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
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| Strichcode: | |
| Code: | TMEMSCSM70AM19CT1AG |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 7 |
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul SiC-Diode/Transistor 700V 98A SP1F Press-in PCB 365W - Produkt beschreibung
| Hersteller | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Modul-Typ | Bipolartransistor, MOSFET |
| Struktur des Halbleiters | SiC-Diode/Transistor |
| Drain-Source Spannung | 700V |
| Drainstrom | 98A |
| Gehäuse | SP1F |
| Topologie | Halbbrücke MOSFET + Paralleldioden |
| Topologie | NTC Thermistor |
| Elektrische Montage | Press-in PCB |
| Widerstand im Leitungszustand | 19mΩ |
| Drainstrom im Impuls | 250A |
| Verlustleistung | 365W |
| Technologie | SiC |
| Mechanische Montage | schraubbar |