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MOSFET-Transistormodule

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Modul Diode/Transistor 1,2kV 126A SP6C Ugs ±30V Idm 684A 5kW

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Code: TMEAPTM120UM70DAG
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Modul Diode/Transistor 1,2kV 126A SP6C Ugs ±30V Idm 684A 5kW - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des HalbleitersDiode/Transistor
Drain-Source Spannung1.2kV
Drainstrom126A
GehäuseSP6C
Topologieeinzelner Transistor + Reihendiode
Elektrische Montageschraubbar
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand80mΩ
Drainstrom im Impuls684A
Verlustleistung5kW
TechnologiePOWER MOS 7®
Gate-Source Spannung±30V
Mechanische Montageschraubbar