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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
Modul Diode/Transistor 100V 100A SP3 Ugs ±30V Press-in PCB
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPTM10DSKM09T3G |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 12 |
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Produkt beschreibung
Modul Diode/Transistor 100V 100A SP3 Ugs ±30V Press-in PCB - Produkt beschreibung
| Hersteller | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Modul-Typ | Bipolartransistor, MOSFET |
| Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor |
| Drain-Source Spannung | 100V |
| Drainstrom | 100A |
| Gehäuse | SP3 |
| Topologie | buck chopper x2 |
| Topologie | NTC Thermistor |
| Elektrische Montage | Press-in PCB |
| Widerstand im Leitungszustand | 10mΩ |
| Drainstrom im Impuls | 430A |
| Verlustleistung | 390W |
| Technologie | POWER MOS 5® |
| Gate-Source Spannung | ±30V |
| Mechanische Montage | schraubbar |