GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
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| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPT10M11JVRU3 |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul Diode/Transistor 100V 106A ISOTOP Ugs ±30V schraubbar - Produkt beschreibung
| Hersteller | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Modul-Typ | Bipolartransistor, MOSFET |
| Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor |
| Drain-Source Spannung | 100V |
| Drainstrom | 106A |
| Gehäuse | ISOTOP |
| Topologie | buck chopper |
| Elektrische Montage | schraubbar |
| Polarisierung | unipolar |
| Widerstand im Leitungszustand | 11mΩ |
| Drainstrom im Impuls | 576A |
| Verlustleistung | 450W |
| Technologie | POWER MOS 5® |
| Gate-Source Spannung | ±30V |
| Mechanische Montage | schraubbar |