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MOSFET-Transistormodule

MOSFET-Transistormodule

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Modul Diode/Transistor 1kV 110A SP6C Ugs ±30V Idm 580A

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Code: TMEAPTM100UM65SAG
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Modul Diode/Transistor 1kV 110A SP6C Ugs ±30V Idm 580A - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des HalbleitersDiode/Transistor
Drain-Source Spannung1kV
Drainstrom110A
GehäuseSP6C
Topologieeinzelner Transistor + Reihendiode + Paralleldiode
Elektrische Montageschraubbar
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand78mΩ
Drainstrom im Impuls580A
Verlustleistung3.25kW
TechnologiePOWER MOS 7®
Gate-Source Spannung±30V
Mechanische Montageschraubbar