Inhalt Warenkorb

Inhalt Warenkorb

Einloggen in Shop

MOSFET-Transistormodule

MOSFET-Transistormodule

GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule


Modul Diode/Transistor 1kV 17A SP1 Ugs ±30V Press-in PCB

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Strichcode:
Code: TMEAPTM100SK33T1G
Packen:
Mindestabnahme: 19
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

€70.85 (Preis inkl. gesetzl. MwSt.)
€58.55 Preis ohne Mehrwertsteuer

Wählen Sie das Transport (Preis inkl. transportieren)

Staffelpreise

Menge 19+ ks Mehr
Einzelpreis €58.55 Fragen Sie nach Preis

Menge

Mindestabnahme: 19


Versandkosten

Produkt beschreibung

Modul Diode/Transistor 1kV 17A SP1 Ugs ±30V Press-in PCB - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des HalbleitersDiode/Transistor
Drain-Source Spannung1kV
Drainstrom17A
GehäuseSP1
Topologiebuck chopper
TopologieNTC Thermistor
Elektrische MontagePress-in PCB
Widerstand im Leitungszustand396mΩ
Drainstrom im Impuls140A
Verlustleistung390W
TechnologiePOWER MOS 8®
Gate-Source Spannung±30V
Mechanische Montageschraubbar