Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

транзисторные модули MOSFET

транзисторные модули MOSFET

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET


Модуль диод/транзистор 1кВ 33А SP4 Ugs ±30В Idm 172А 780Вт

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTM100DA18TG
Упаковка:
Mindestabnahme: 1
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

€146.2 (Цена с НДС)
€120.8 Цена без НДС

Wählen Sie das Transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 7+ ks 10+ ks Более
Цена/шт. €120.09 €116.99 Цена по запросу

Количество

Mindestabnahme: 1


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль диод/транзистор 1кВ 33А SP4 Ugs ±30В Idm 172А 780Вт - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодадиод/транзистор
Напряжение сток-исток1кВ
Ток стока33А
КорпусSP4
Топологияboost chopper
Топологиятермистор NTC
Электрический монтажвинтами
Электрический монтажконнекторы FASTON
Сопротивление в открытом состоянии210мОм
Ток стока в импульсном режиме172А
Рассеиваемая мощность780Вт
ТехнологияPOWER MOS 7®
Напряжение затвор-исток±30В
Механический монтажвинтами