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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
Modul Diode/Transistor 500V 67A SP6C Ugs ±30V Idm 360A 694W
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPTM50DHM38G |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 6 |
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Produkt beschreibung
Modul Diode/Transistor 500V 67A SP6C Ugs ±30V Idm 360A 694W - Produkt beschreibung
| Hersteller | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Modul-Typ | Bipolartransistor, MOSFET |
| Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor |
| Drain-Source Spannung | 500V |
| Drainstrom | 67A |
| Gehäuse | SP6C |
| Topologie | asymmetrische Brücke |
| Elektrische Montage | schraubbar |
| Elektrische Montage | Steckverbinder FASTON |
| Widerstand im Leitungszustand | 45mΩ |
| Drainstrom im Impuls | 360A |
| Verlustleistung | 694W |
| Technologie | POWER MOS 7® |
| Gate-Source Spannung | ±30V |
| Mechanische Montage | schraubbar |