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MOSFET-Transistormodule

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Modul Diode/Transistor 600V 38A SP1 Ugs ±20V Press-in PCB

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Code: TMEAPTC60AM45B1G
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Modul Diode/Transistor 600V 38A SP1 Ugs ±20V Press-in PCB - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des HalbleitersDiode/Transistor
Drain-Source Spannung600V
Drainstrom38A
GehäuseSP1
Topologieboost chopper
TopologieMOSFET Halbbrücke
Elektrische MontagePress-in PCB
Widerstand im Leitungszustand45mΩ
Drainstrom im Impuls130A
Verlustleistung250W
TechnologieCoolMOS™
Gate-Source Spannung±20V
Mechanische Montageschraubbar