Inhalt Warenkorb

Inhalt Warenkorb

Einloggen in Shop

MOSFET-Transistormodule

MOSFET-Transistormodule

GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule


Modul Diode/Transistor 600V 38A SP3F Ugs ±20V Press-in PCB

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Strichcode:
Code: TMEAPTCV60HM45BT3G
Packen:
Mindestabnahme: 1
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

€143.55 (Preis inkl. gesetzl. MwSt.)
€118.64 Preis ohne Mehrwertsteuer

Wählen Sie das Transport (Preis inkl. transportieren)

Staffelpreise

Menge 7+ ks 10+ ks Mehr
Einzelpreis €118.35 €115.11 Fragen Sie nach Preis

Menge

Mindestabnahme: 1


Versandkosten

Produkt beschreibung

Modul Diode/Transistor 600V 38A SP3F Ugs ±20V Press-in PCB - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des HalbleitersDiode/Transistor
Drain-Source Spannung600V
Drainstrom38A
GehäuseSP3F
Topologieboost chopper
TopologieBrücke H
TopologieNTC Thermistor
Elektrische MontagePress-in PCB
Widerstand im Leitungszustand45mΩ
Drainstrom im Impuls130A
Verlustleistung250W
TechnologieCoolMOS™
TechnologieField Stop
TechnologieTrench
Gate-Source Spannung±20V
Mechanische Montageschraubbar