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MOSFET-Transistormodule

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Modul Diode/Transistor 600V 72A SP4 Ugs ±30V Idm 288A 416W

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Code: TMEAPTC60AM35SCTG
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Hersteller: MICROSEMI

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Modul Diode/Transistor 600V 72A SP4 Ugs ±30V Idm 288A 416W - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des HalbleitersDiode/Transistor
Drain-Source Spannung600V
Drainstrom72A
GehäuseSP4
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Polarisierungunipolar
Widerstand im Leitungszustand35mΩ
Drainstrom im Impuls288A
Verlustleistung416W
TechnologieCoolMOS™
Gate-Source Spannung±30V
Mechanische Montageschraubbar