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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
Modul Diode/Transistor 1,2kV 37A SP6C Ugs ±30V Idm 200A
| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPTM120A20SG |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 4 |
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul Diode/Transistor 1,2kV 37A SP6C Ugs ±30V Idm 200A - Produkt beschreibung
Hersteller MICROCHIP (MICROSEMI) Modul-Typ Bipolartransistor, MOSFET Struktur des Halbleiters Diode/Transistor Drain-Source Spannung 1.2kV Drainstrom 37A Gehäuse SP6C Topologie Halbbrücke MOSFET + Reihendioden + Paralleldioden Elektrische Montage schraubbar Elektrische Montage Steckverbinder FASTON Widerstand im Leitungszustand 240mΩ Drainstrom im Impuls 200A Verlustleistung 1.25kW Technologie POWER MOS 7® Gate-Source Spannung ±30V Mechanische Montage schraubbar