Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET


Модуль диод/транзистор 100В 207А SP4 Ugs ±30В Idm 1100А

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTM10SKM05TG
Упаковка:
Mindestabnahme: 1
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

€146.3 (Цена с НДС)
€120.9 Цена без НДС

Wählen Sie das Transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 10+ ks Более
Цена/шт. €118.86 Цена по запросу

Количество

Mindestabnahme: 1


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль диод/транзистор 100В 207А SP4 Ugs ±30В Idm 1100А - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодадиод/транзистор
Напряжение сток-исток100В
Ток стока207А
КорпусSP4
Топологияbuck chopper
Топологиятермистор NTC
Электрический монтажвинтами
Электрический монтажконнекторы FASTON
Сопротивление в открытом состоянии5мОм
Ток стока в импульсном режиме1100А
Рассеиваемая мощность780Вт
ТехнологияPOWER MOS 5®
Напряжение затвор-исток±30В
Механический монтажвинтами