Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET


Модуль диод/транзистор 200В 155А SP4 Ugs ±30В Idm 832А 781Вт

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTM20AM08FTG
Упаковка:
Mindestabnahme: 7
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

€196.8 (Цена с НДС)
€162.7 Цена без НДС

Wählen Sie das Transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 7+ ks Более
Цена/шт. €162.68 Цена по запросу

Количество

Mindestabnahme: 7


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль диод/транзистор 200В 155А SP4 Ugs ±30В Idm 832А 781Вт - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодадиод/транзистор
Напряжение сток-исток200В
Ток стока155А
КорпусSP4
Топологияполумост MOSFET
Топологиятермистор NTC
Электрический монтажвинтами
Электрический монтажконнекторы FASTON
Сопротивление в открытом состоянии10мОм
Ток стока в импульсном режиме832А
Рассеиваемая мощность781Вт
ТехнологияFREDFET
ТехнологияPOWER MOS 7®
Напряжение затвор-исток±30В
Механический монтажвинтами