Inhalt Warenkorb

Inhalt Warenkorb

Einloggen in Shop

GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule

MOSFET-Transistormodule

MOSFET-Transistormodule

GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule


Modul Diode/Transistor 600V 29A SP3F Ugs ±20V Press-in PCB

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Strichcode:
Code: TMEAPTC60HM70BT3G
Packen:
Mindestabnahme: 1
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

€121.01 (Preis inkl. gesetzl. MwSt.)
€100.01 Preis ohne Mehrwertsteuer

Wählen Sie das Transport (Preis inkl. transportieren)

Menge

Mindestabnahme: 1


Versandkosten

Produkt beschreibung

Modul Diode/Transistor 600V 29A SP3F Ugs ±20V Press-in PCB - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des HalbleitersDiode/Transistor
Drain-Source Spannung600V
Drainstrom29A
GehäuseSP3F
Topologieboost chopper
TopologieNTC Thermistor
Elektrische MontagePress-in PCB
Widerstand im Leitungszustand70mΩ
Drainstrom im Impuls160A
Verlustleistung250W
TechnologieCoolMOS™
Gate-Source Spannung±20V
Mechanische Montageschraubbar