Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET


Модуль диод/транзистор 600В 38А SP1 Ugs ±20В Press-in PCB

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTC60DDAM45T1G
Упаковка:
Mindestabnahme: 14
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

€94.2 (Цена с НДС)
€77.9 Цена без НДС

Wählen Sie das Transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 14+ ks Более
Цена/шт. €77.89 Цена по запросу

Количество

Mindestabnahme: 14


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль диод/транзистор 600В 38А SP1 Ugs ±20В Press-in PCB - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодадиод/транзистор
Напряжение сток-исток600В
Ток стока38А
КорпусSP1
Топологияboost chopper x2
Топологиятермистор NTC
Электрический монтажPress-in PCB
Сопротивление в открытом состоянии45мОм
Ток стока в импульсном режиме130А
Рассеиваемая мощность250Вт
ТехнологияCoolMOS™
ТехнологияSJ-MOSFET
Напряжение затвор-исток±20В
Механический монтажвинтами