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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
Modul Diode/Transistor 600V 70A SP3F Ugs ±20V Press-in PCB
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPTCV60TLM24T3G |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 8 |
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Produkt beschreibung
Modul Diode/Transistor 600V 70A SP3F Ugs ±20V Press-in PCB - Produkt beschreibung
| Hersteller | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Modul-Typ | Bipolartransistor, MOSFET/IGBT |
| Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor |
| Drain-Source Spannung | 600V |
| Drainstrom | 70A |
| Gehäuse | SP3F |
| Topologie | 3-Level 1-Phasen Wechselrichter |
| Topologie | NTC Thermistor |
| Elektrische Montage | Press-in PCB |
| Widerstand im Leitungszustand | 24mΩ |
| Drainstrom im Impuls | 260A |
| Verlustleistung | 462W |
| Technologie | Field Stop |
| Technologie | SJ-MOSFET |
| Technologie | Trench |
| Gate-Source Spannung | ±20V |
| Mechanische Montage | schraubbar |
| Kollektor-Emitter-Strom | 75A |