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MOSFET-Transistormodule

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Modul einzelner Transistor 100V 200A SOT227B Ugs ±30V 550W

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Code: TMEIXTN200N10T
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Hersteller: IXYS

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Modul einzelner Transistor 100V 200A SOT227B Ugs ±30V 550W - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Drain-Source Spannung100V
Drainstrom200A
GehäuseSOT227B
Elektrische Montageschraubbar
Polarisierungunipolar
Widerstand im Leitungszustand5.5mΩ
Drainstrom im Impuls500A
Verlustleistung550W
TechnologieTrenchMV™
Kanal-Artstark
Gate-Ladung152nC
Bereitschaftszeit76ns
Gate-Source Spannung±30V
Mechanische Montageschraubbar