Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET


Модуль одиночный транзистор 100В 429А SP6C Ugs ±30В 1,66кВт

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTM10UM02FAG
Упаковка:
Mindestabnahme: 4
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

€329.3 (Цена с НДС)
€272.1 Цена без НДС

Wählen Sie das Transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 4+ ks Более
Цена/шт. €272.11 Цена по запросу

Количество

Mindestabnahme: 4


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль одиночный транзистор 100В 429А SP6C Ugs ±30В 1,66кВт - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодаодиночный транзистор
Напряжение сток-исток100В
Ток стока429А
КорпусSP6C
Электрический монтажвинтами
Электрический монтажконнекторы FASTON
Сопротивление в открытом состоянии2,5мОм
Ток стока в импульсном режиме1900А
Рассеиваемая мощность1,66кВт
ТехнологияFREDFET
ТехнологияPOWER MOS 5®
Напряжение затвор-исток±30В
Механический монтажвинтами