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MOSFET-Transistormodule

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Modul einzelner Transistor 170V 260A SOT227B Ugs ±30V 1070W

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Code: TMEIXFN320N17T2
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Modul einzelner Transistor 170V 260A SOT227B Ugs ±30V 1070W - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Drain-Source Spannung170V
Drainstrom260A
GehäuseSOT227B
Elektrische Montageschraubbar
Polarisierungunipolar
Widerstand im Leitungszustand5.2mΩ
Drainstrom im Impuls800A
Verlustleistung1070W
TechnologieGigaMOS™
TechnologieHiPerFET™
TechnologieTrenchT2™
Kanal-Artstark
Gate-Ladung640nC
Bereitschaftszeit150ns
Gate-Source Spannung±30V
Mechanische Montageschraubbar