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MOSFET-Transistormodule

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Modul einzelner Transistor 40V 600A SOT227B Ugs ±30V 940W

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Code: TMEIXTN600N04T2
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Modul einzelner Transistor 40V 600A SOT227B Ugs ±30V 940W - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Drain-Source Spannung40V
Drainstrom600A
GehäuseSOT227B
Elektrische Montageschraubbar
Polarisierungunipolar
Widerstand im Leitungszustand1.3mΩ
Drainstrom im Impuls1.8kA
Verlustleistung940W
TechnologieGigaMOS™
TechnologieTrenchT2™
Kanal-Artstark
Gate-Ladung590nC
Bereitschaftszeit100ns
Gate-Source Spannung±30V
Mechanische Montageschraubbar