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MOSFET-Transistormodule

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Modul einzelner Transistor 850V 90A SOT227B Ugs ±40V 1200W

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Code: TMEIXFN90N85X
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Hersteller: IXYS

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Modul einzelner Transistor 850V 90A SOT227B Ugs ±40V 1200W - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Drain-Source Spannung850V
Drainstrom90A
GehäuseSOT227B
Elektrische Montageschraubbar
Polarisierungunipolar
Widerstand im Leitungszustand41mΩ
Drainstrom im Impuls180A
Verlustleistung1200W
TechnologieHiPerFET™
TechnologieX-Class
Kanal-Artstark
Gate-Ladung340nC
Bereitschaftszeit250ns
Gate-Source Spannung±40V
Mechanische Montageschraubbar