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IGBT-Transistoren

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Modul IGBT Transistor/Transistor IGBT Halbbrücke Urmax 1,2kV

Einheiten auf Lager i 82 Menge
Strichcode:
Code: TMESKM150GB12T4
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Mindestabnahme: 1
Hersteller: SEMIKRON

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Produkt beschreibung

Modul IGBT Transistor/Transistor IGBT Halbbrücke Urmax 1,2kV - Produkt beschreibung

HerstellerSEMIKRON
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersTransistor/Transistor
TopologieIGBT Halbbrücke
Rückspannung max.1.2kV
Kollektor-Emitter-Strom150A
GehäuseSEMITRANS2
AnwendungFrequenzwandler
AnwendungWechselrichter
Elektrische Montageschraubbar
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls450A
Mechanische Montageschraubbar