GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » IGBT-Module
| Einheiten auf Lager i | 47 Menge |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMESKM200GB12T4 |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | SEMIKRON |
Modul IGBT Transistor/Transistor IGBT Halbbrücke Urmax 1,2kV - Produkt beschreibung
| Hersteller | SEMIKRON |
|---|---|
| Modul-Typ | IGBT |
| Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor |
| Topologie | IGBT Halbbrücke |
| Rückspannung max. | 1.2kV |
| Kollektor-Emitter-Strom | 241A |
| Gehäuse | SEMITRANS3 |
| Ausführung | D56 |
| Anwendung | Frequenzwandler |
| Anwendung | Wechselrichter |
| Elektrische Montage | schraubbar |
| Elektrische Montage | Steckverbinder FASTON |
| Gate - Emitter Spannung | ±20V |
| Kollektorstrom im Impuls | 600A |
| Mechanische Montage | schraubbar |