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IGBT-Module

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Modul IGBT Transistor/Transistor IGBT Halbbrücke Urmax 1,2kV

Einheiten auf Lager i 47 Menge
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Code: TMESKM200GB12T4
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Hersteller: SEMIKRON

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Produkt beschreibung

Modul IGBT Transistor/Transistor IGBT Halbbrücke Urmax 1,2kV - Produkt beschreibung

HerstellerSEMIKRON
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersTransistor/Transistor
TopologieIGBT Halbbrücke
Rückspannung max.1.2kV
Kollektor-Emitter-Strom241A
GehäuseSEMITRANS3
AusführungD56
AnwendungFrequenzwandler
AnwendungWechselrichter
Elektrische Montageschraubbar
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls600A
Mechanische Montageschraubbar