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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » IGBT-Module
Modul IGBT Diode/Transistor asymmetrische Brücke Urmax 1,2kV
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPTGT100DH120TG |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 8 |
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Produkt beschreibung
Modul IGBT Diode/Transistor asymmetrische Brücke Urmax 1,2kV - Produkt beschreibung
| Hersteller | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Modul-Typ | IGBT |
| Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor |
| Topologie | asymmetrische Brücke |
| Topologie | NTC Thermistor |
| Rückspannung max. | 1.2kV |
| Kollektor-Emitter-Strom | 100A |
| Gehäuse | SP4 |
| Elektrische Montage | Löten |
| Elektrische Montage | Steckverbinder FASTON |
| Gate - Emitter Spannung | ±20V |
| Kollektorstrom im Impuls | 200A |
| Technologie | Field Stop |
| Technologie | Trench |
| Mechanische Montage | schraubbar |