GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
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| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPTGT150DH120G |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 6 |
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul IGBT Diode/Transistor asymmetrische Brücke Urmax 1,2kV - Produkt beschreibung
| Hersteller | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Modul-Typ | IGBT |
| Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor |
| Topologie | asymmetrische Brücke |
| Rückspannung max. | 1.2kV |
| Kollektor-Emitter-Strom | 150A |
| Gehäuse | SP6C |
| Elektrische Montage | schraubbar |
| Elektrische Montage | Steckverbinder FASTON |
| Gate - Emitter Spannung | ±20V |
| Kollektorstrom im Impuls | 350A |
| Technologie | Field Stop |
| Technologie | Trench |
| Mechanische Montage | schraubbar |