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IGBT-Transistoren

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Modul IGBT Diode/Transistor Brücke H Urmax 1,2kV Ic 125A

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Code: TMEMKI100-12F8
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Hersteller: IXYS

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Produkt beschreibung

Modul IGBT Diode/Transistor Brücke H Urmax 1,2kV Ic 125A - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersDiode/Transistor
TopologieBrücke H
Rückspannung max.1.2kV
Kollektor-Emitter-Strom125A
GehäuseE3-Pack
Elektrische MontagePress-in PCB
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls200A
Verlustleistung640W
TechnologieHiPerFRED™
TechnologieNPT
Mechanische Montageschraubbar