GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » IGBT-Module
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
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| Strichcode: | |
| Code: | TMEGD25PJY120F5S |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 25 |
| Hersteller: | STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. |
Modul IGBT Diode/Transistor Urmax 1200V Ic 25A F5.1 - Produkt beschreibung
| Hersteller | STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. |
|---|---|
| Modul-Typ | IGBT |
| Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor |
| Topologie | 3-Phasendiodenbrücke |
| Topologie | boost chopper |
| Topologie | IGBT three-phase bridge OE output |
| Topologie | NTC Thermistor |
| Rückspannung max. | 1200V |
| Kollektor-Emitter-Strom | 25A |
| Gehäuse | F5.1 |
| Elektrische Montage | Press-in PCB |
| Gate - Emitter Spannung | ±20V |
| Kollektorstrom im Impuls | 50A |
| Technologie | Advanced Trench FS IGBT |
| Mechanische Montage | schraubbar |