[ Расширенный поиск ]


Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

[ зарегистрироваться ]

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Транзисторы » IGBT Транзисторы

IGBT Транзисторы

IGBT Транзисторы

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Транзисторы » IGBT Транзисторы

Модуль IGBT диод/транзистор асимметричный мост Urmax 1,2кВ

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTGT150DH120G
Упаковка:
Mindestabnahme: 6
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

€240.9 (Цена с НДС)
€199.1 Цена без НДС

Wählen Sie das Transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 6+ ks Более
Цена/шт. €199.06 Цена по запросу

Количество

Mindestabnahme: 6


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль IGBT диод/транзистор асимметричный мост Urmax 1,2кВ - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляIGBT
Конструкция диодадиод/транзистор
Топологияасимметричный мост
Обратное напряжение макс.1,2кВ
Ток коллектора150А
КорпусSP6C
Электрический монтажвинтами
Электрический монтажконнекторы FASTON
Напряжение затвор - эмиттер±20В
Ток коллектора в импульсе350А
ТехнологияField Stop
ТехнологияTrench
Механический монтажвинтами