GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren
| Verfügbarkeit | Verkauf abgeschlossen |
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| Strichcode: | |
| Code: | TMEMG10P12P2-YAN |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | YANGJIE TECHNOLOGY |
Modul IGBT Diode/Transistor boost chopper Urmax 1,2kV Ic 10A - Produkt beschreibung
| Hersteller | YANGJIE TECHNOLOGY |
|---|---|
| Modul-Typ | IGBT |
| Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor |
| Topologie | 3-Phasendiodenbrücke |
| Topologie | boost chopper |
| Topologie | IGBT Halbbrücke x3 |
| Topologie | NTC Thermistor |
| Rückspannung max. | 1.2kV |
| Kollektor-Emitter-Strom | 10A |
| Gehäuse | P2 |
| Anwendung | Motoren |
| Anwendung | Wechselrichter |
| Elektrische Montage | Press-in PCB |
| Gate - Emitter Spannung | ±20V |
| Kollektorstrom im Impuls | 20A |
| Mechanische Montage | schraubbar |