GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Транзисторы » IGBT Транзисторы
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Штрихкод: | |
| Код товара: | TMEGD20PJX65F1S |
| Упаковка: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Производитель: | STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. |
Модуль IGBT диод/транзистор Urmax 650В Ic 20А F1.1 винтами - Описание товара
| Производитель | STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. |
|---|---|
| Тип модуля | IGBT |
| Конструкция диода | диод/транзистор |
| Топология | 3-фазный диодный мост |
| Топология | boost chopper |
| Топология | IGBT three-phase bridge OE output |
| Топология | термистор NTC |
| Обратное напряжение макс. | 650В |
| Ток коллектора | 20А |
| Корпус | F1.1 |
| Электрический монтаж | Press-in PCB |
| Напряжение затвор - эмиттер | ±20В |
| Ток коллектора в импульсе | 40А |
| Технология | Trench FS IGBT |
| Механический монтаж | винтами |