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IGBT-Transistoren

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Modul IGBT einzelner Transistor Urmax 1,2kV Ic 65A SOT227B

Verfügbarkeit Verkauf abgeschlossen
Strichcode:
Code: TMEIXA70I1200NA
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Mindestabnahme: 1
Hersteller: IXYS

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Produkt beschreibung

Modul IGBT einzelner Transistor Urmax 1,2kV Ic 65A SOT227B - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypIGBT
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Rückspannung max.1.2kV
Kollektor-Emitter-Strom65A
GehäuseSOT227B
Elektrische Montageschraubbar
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls150A
Verlustleistung350W
TechnologieXPT™
Eigenschaften von HalbleiterelementenHochspannung
Mechanische Montageschraubbar