GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » IGBT-Module
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEIXXN110N65B4H1 |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | IXYS |
Modul IGBT einzelner Transistor Urmax 650V Ic 110A SOT227B - Produkt beschreibung
| Hersteller | IXYS |
|---|---|
| Modul-Typ | IGBT |
| Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor |
| Rückspannung max. | 650V |
| Kollektor-Emitter-Strom | 110A |
| Gehäuse | SOT227B |
| Elektrische Montage | schraubbar |
| Gate - Emitter Spannung | ±20V |
| Kollektorstrom im Impuls | 650A |
| Verlustleistung | 750W |
| Technologie | GenX4™ |
| Technologie | XPT™ |
| Mechanische Montage | schraubbar |