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IGBT-Transistoren

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Modul IGBT Transistor/Transistor 3-phasen Brücke IGBT 630W

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Strichcode:
Code: TMEMIEB101W1200EH
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Hersteller: IXYS

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Produkt beschreibung

Modul IGBT Transistor/Transistor 3-phasen Brücke IGBT 630W - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersTransistor/Transistor
Topologie3-phasen Brücke IGBT
Rückspannung max.1.2kV
Kollektor-Emitter-Strom128A
GehäuseE3-Pack
AnwendungMotoren
AnwendungPhotovoltaik
Elektrische MontagePress-in PCB
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls200A
Verlustleistung630W
TechnologieSonic FRD™
TechnologieSPT+
Mechanische Montageschraubbar