Inhalt Warenkorb

Inhalt Warenkorb

Einloggen in Shop

IGBT-Module

IGBT-Module

GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » IGBT-Module


Modul IGBT Transistor/Transistor 3-phasen Brücke IGBT Ic 50A

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Strichcode:
Code: TMEGD50FFY120C5S
Packen:
Mindestabnahme: 1
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.

€82.21 (Preis inkl. gesetzl. MwSt.)
€67.95 Preis ohne Mehrwertsteuer

Wählen Sie das Transport (Preis inkl. transportieren)

Staffelpreise

Menge 12+ ks Mehr
Einzelpreis €67.76 Fragen Sie nach Preis

Menge

Mindestabnahme: 1


Versandkosten

Produkt beschreibung

Modul IGBT Transistor/Transistor 3-phasen Brücke IGBT Ic 50A - Produkt beschreibung

HerstellerSTARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersTransistor/Transistor
Topologie3-phasen Brücke IGBT
TopologieNTC Thermistor
Rückspannung max.1200V
Kollektor-Emitter-Strom50A
GehäuseC5 45mm
Elektrische MontagePress-in PCB
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls100A
TechnologieAdvanced Trench FS IGBT
Mechanische Montageschraubbar