[ Расширенный поиск ]


Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

[ зарегистрироваться ]

Модули IGBT

Модули IGBT

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » Модули IGBT

Модуль IGBT транзистор/транзистор Н мост Urmax 1,2кВ Ic 150А

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTGLQ150H120G
Упаковка:
Mindestabnahme: 5
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

€302.6 (Цена с НДС)
€250.1 Цена без НДС

Wählen Sie das Transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 5+ ks Более
Цена/шт. €250.11 Цена по запросу

Количество

Mindestabnahme: 5


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль IGBT транзистор/транзистор Н мост Urmax 1,2кВ Ic 150А - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляIGBT
Конструкция диодатранзистор/транзистор
ТопологияН мост
Обратное напряжение макс.1,2кВ
Ток коллектора150А
КорпусSP6C
Электрический монтажвинтами
Электрический монтажконнекторы FASTON
Напряжение затвор - эмиттер±20В
Ток коллектора в импульсе480А
ТехнологияField Stop
ТехнологияTrench
Механический монтажвинтами