GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren
| Verfügbarkeit | Verkauf abgeschlossen |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEGD100HHU120C6S |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 10 |
| Hersteller: | STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. |
Modul IGBT Transistor/Transistor Brücke H Urmax 1200V - Produkt beschreibung
| Hersteller | STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. |
|---|---|
| Modul-Typ | IGBT |
| Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor |
| Topologie | Brücke H |
| Rückspannung max. | 1200V |
| Kollektor-Emitter-Strom | 100A |
| Gehäuse | C6 62mm |
| Elektrische Montage | Press-in PCB |
| Gate - Emitter Spannung | ±20V |
| Kollektorstrom im Impuls | 200A |
| Technologie | NPT Ultra Fast IGBT |
| Mechanische Montage | schraubbar |