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IGBT-Transistoren

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Modul IGBT Transistor/Transistor IGBT Halbbrücke Urmax 1,2kV

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Code: TMEHFGM150D12V3-HUA
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Mindestabnahme: 1
Hersteller: HUAJING

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Produkt beschreibung

Modul IGBT Transistor/Transistor IGBT Halbbrücke Urmax 1,2kV - Produkt beschreibung

HerstellerHUAJING
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersTransistor/Transistor
TopologieIGBT Halbbrücke
Rückspannung max.1.2kV
Kollektor-Emitter-Strom150A
GehäuseV3 62MM
Anwendungfür UPS
AnwendungWechselrichter
Elektrische Montageschraubbar
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Gate - Emitter Spannung±30V
Kollektorstrom im Impuls350A
TechnologiePT
Mechanische Montageschraubbar