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IGBT-Module

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Modul IGBT Transistor/Transistor Brücke H Urmax 1,2kV 630W

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Code: TMEMIEB101H1200EH
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Modul IGBT Transistor/Transistor Brücke H Urmax 1,2kV 630W - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersTransistor/Transistor
TopologieBrücke H
Rückspannung max.1.2kV
Kollektor-Emitter-Strom128A
GehäuseE3-Pack
AnwendungMotoren
AnwendungPhotovoltaik
Elektrische MontagePress-in PCB
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls200A
Verlustleistung630W
TechnologieSonic FRD™
TechnologieSPT+
Mechanische Montageschraubbar