GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren
| Einheiten auf Lager i | 3 Menge |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEHFGM75D12V1-HUA |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | HUAJING |
Modul IGBT Transistor/Transistor IGBT Halbbrücke Urmax 1,2kV - Produkt beschreibung
| Hersteller | HUAJING |
|---|---|
| Modul-Typ | IGBT |
| Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor |
| Topologie | IGBT Halbbrücke |
| Rückspannung max. | 1.2kV |
| Kollektor-Emitter-Strom | 75A |
| Gehäuse | V1 |
| Anwendung | für UPS |
| Anwendung | Wechselrichter |
| Elektrische Montage | schraubbar |
| Elektrische Montage | Steckverbinder FASTON |
| Gate - Emitter Spannung | ±30V |
| Kollektorstrom im Impuls | 200A |
| Technologie | PT |
| Mechanische Montage | schraubbar |