[ Расширенный поиск ]


Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

[ зарегистрироваться ]

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Транзисторы » IGBT Транзисторы

IGBT Транзисторы

IGBT Транзисторы

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Транзисторы » IGBT Транзисторы

Модуль IGBT транзистор/транзистор полумост IGBT Urmax 1,2кВ

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTGT50A120T1G
Упаковка:
Mindestabnahme: 16
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

€83.8 (Цена с НДС)
€69.3 Цена без НДС

Wählen Sie das Transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 16+ ks Более
Цена/шт. €69.28 Цена по запросу

Количество

Mindestabnahme: 16


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль IGBT транзистор/транзистор полумост IGBT Urmax 1,2кВ - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляIGBT
Конструкция диодатранзистор/транзистор
Топологияполумост IGBT
Топологиятермистор NTC
Обратное напряжение макс.1,2кВ
Ток коллектора50А
КорпусSP1
Применениедвигатели
Электрический монтажPress-in PCB
Напряжение затвор - эмиттер±20В
Ток коллектора в импульсе100А
ТехнологияField Stop
ТехнологияTrench
Механический монтажвинтами