[ Расширенный поиск ]


Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

[ зарегистрироваться ]

Модули IGBT

Модули IGBT

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » Модули IGBT

Модуль IGBT транзистор/транзистор полумост IGBT Urmax 1,2кВ

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTGLQ150A120TG
Упаковка:
Mindestabnahme: 8
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

€169.7 (Цена с НДС)
€140.3 Цена без НДС

Wählen Sie das Transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 8+ ks Более
Цена/шт. €140.26 Цена по запросу

Количество

Mindestabnahme: 8


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль IGBT транзистор/транзистор полумост IGBT Urmax 1,2кВ - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляIGBT
Конструкция диодатранзистор/транзистор
Топологияполумост IGBT
Топологиятермистор NTC
Обратное напряжение макс.1,2кВ
Ток коллектора150А
КорпусSP4
Применениедвигатели
Электрический монтажконнекторы FASTON
Электрический монтажпайка
Напряжение затвор - эмиттер±20В
Ток коллектора в импульсе480А
ТехнологияField Stop
ТехнологияTrench
Механический монтажвинтами