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IGBT-Transistoren

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Modul IGBT Transistor/Transistor IGBT Halbbrücke Urmax 1700V

Verfügbarkeit Verkauf abgeschlossen
Strichcode:
Code: TMEGD650HFX170P1S
Packen:
Mindestabnahme: 9
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.

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Produkt beschreibung

Modul IGBT Transistor/Transistor IGBT Halbbrücke Urmax 1700V - Produkt beschreibung

HerstellerSTARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersTransistor/Transistor
TopologieIGBT Halbbrücke
Rückspannung max.1700V
Kollektor-Emitter-Strom650A
GehäuseP1.0
Elektrische Montageschraubbar
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls1300A
TechnologieTrench FS IGBT
Mechanische Montageschraubbar