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IGBT-Module

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Modul IGBT Transistor/Transistor IGBT Halbbrücke Urmax 650V

Verfügbarkeit Verkauf abgeschlossen
Strichcode:
Code: TMEGD100HFX65C1S
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Mindestabnahme: 24
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.

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Produkt beschreibung

Modul IGBT Transistor/Transistor IGBT Halbbrücke Urmax 650V - Produkt beschreibung

HerstellerSTARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersTransistor/Transistor
TopologieIGBT Halbbrücke
Rückspannung max.650V
Kollektor-Emitter-Strom100A
GehäuseC1 34mm
Elektrische Montageschraubbar
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls200A
TechnologieTrench FS IGBT
Mechanische Montageschraubbar