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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » IGBT-Module
Modul IGBT Transistor/Transistor,gemeinsamer Emitter Ic 80A
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPTGLQ80HR120CT3G |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 9 |
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Produkt beschreibung
Modul IGBT Transistor/Transistor,gemeinsamer Emitter Ic 80A - Produkt beschreibung
| Hersteller | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Modul-Typ | IGBT |
| Struktur des Halbleiters | gemeinsamer Emitter |
| Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor |
| Topologie | Dreiphasen-Wechselrichter TNPC |
| Rückspannung max. | 1.2kV |
| Kollektor-Emitter-Strom | 80A |
| Gehäuse | SP3F |
| Elektrische Montage | Press-in PCB |
| Gate - Emitter Spannung | ±20V |
| Kollektorstrom im Impuls | 320A |
| Technologie | Field Stop |
| Technologie | Trench |
| Mechanische Montage | schraubbar |